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【原创】Mini/Micro LED显示机会何在?芯片成败关键
mini LED丨micro LED丨华灿光电丨RGB丨小间距丨李鹏 文章来源自:高工新型显示
2019-11-29 09:26:17 阅读:12143
摘要华灿光电挺进Mini/Micro LED

  随着市场对于显示的需求不断迈向更高层次,追求视觉效果的真实性变得越发重要.未来4K、8K LED高清屏的市场需求将会进入爆发期,以小间距显示、Mini LED和Micro LED为代表的新型显示正迎来新的技术拐点,技术的革新就意味着产业有机会重新改写游戏规则、重塑显示领域竞争格局。

  作为国内LED芯片领域龙头的华灿光电在在Mini/Micro LED领域已布局良久,并取得了实质性的进展。

  据高工新型显示了解,华灿光电的Mini-LED以及Micro-LED产品在外延和芯片工艺方面进行了全方位优化,已经取得了多项技术突破和发明专利。

  此前的9月,华灿光电在深圳举行了Mini-LED新品发布暨微显示战略合作签约仪式。

  华灿光电相关负责人表示,LED自发光显示微缩化的核心就是Mini/Micro-LED芯片,华灿光电Mini-LED新品拥有着众多华灿特有的技术特点,可以满足下游客户的需求。

  在Mini RGB LED芯片技术优化方面,华灿光电设计了高可靠性、高亮度的DBR倒装芯片结构。通过优化PV和Mesa刻蚀工艺,使金属连接层平滑覆盖;优化了电极结构和金属沉积工艺,设计出高可靠性的电极;并且,通过特有的混编技术,可以消除COB应用情况下的Mura效应。

  同时,随着芯片尺寸的持续减小,免锡膏封装芯片方案将成为提高良率、降低成本的关键,对此华灿光电已实现了将锡球直接制作在Mini-LED芯片电极上的技术应用。在红光Mini LED芯片技术方面,华灿开发出高键合良率的转移和键合工艺;并设计了顶伤防护层,优化材料沉积工艺,增强膜质,保证无外延顶伤风险。

  在背光Mini LED芯片技术方面,华灿光电优化了膜层结构设计,调节芯片出光,更易实现超薄设计。

  而在Micro-LED芯片方面,华灿光电在Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术(批量芯片转移)、阵列键合技术(阵列转移键合)、Micro LED的光形与取光调控方面取得了较好的结果。目前所获得的的芯片良率可以达到5个9的水平,红光Micro LED效率也到达了国际领先水平,并针对不同转移方式,可以提供多种形式的Micro LED样品。

  “小间距显示技术已经非常成熟,第三代小间距产品即将面世,Mini LED倒装RGB芯片技术已经可以量产,Mini LED背光芯片技术趋于成熟。”华灿光电副总裁李鹏认为,Micro LED目前处在开发当中,需要上中下游联合开发。

  李鹏表示,Micro LED显示将应用于电视、手机、AR/VR,车载显示、可穿戴电子、数字显示(商业广告与显示等)。

  据了解,华灿将适时推出Micro LED显示的所有芯片解决方案。

  更多华灿光电Mini/Micro LED战略,欢迎报名参加12月5日至6日在深圳机场凯悦酒店举行的高工LED年会。届时华灿光电副总裁李鹏博士将带来《Mini/Micro LED的战略机会与挑战》演讲,全方位剖析Mini/Micro LED技术及未来。

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