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投资10亿美元扩大SiC碳化硅产能 Cree大举进军半导体

2019-05-09 13:21 来源:高工LED 关注度:24357次 字体:   原创申明 投稿
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2019年5月7日,Cree宣布,将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市,建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。

  2019年5月7日,Cree宣布,将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市,建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。其中,4.5亿美元用于North Fab;4.5亿美元用于材料超级工厂(mega factory);1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。

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▲Cree North Fab

  这项标志着公司迄今为止最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后,这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能,使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

  据了解,在汽车和通讯设施领域,采用SiC碳化硅来驱动创新所产生的巨大效益已经明朗。但现有的供应却远远不能够满足Cree对于SiC碳化硅的需求。此项投资将大幅提升Cree供应能力,帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。

  Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示:“这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入,将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度相比较,能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

  这项计划将为Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施,作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂,迈出满足预期市场需求的第一步。

  新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂,其生产提供的晶圆表面积将会是现有的18倍,刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。Cree将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

  Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示:“这些SiC碳化硅制造超级工厂,将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案,帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间,同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资,也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具,我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab,并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

  扩大的园区将创造高科技就业机会,并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目,为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

  Cree此项投资也吹响了大举进军半导体领域的号角。根据Cree最新的财报显示,Wolfspeed的营业收入同比增长了72%,其毛利也超过了公司的目标。这部分业务在公司中所占的营收份额也越来越大。

  今年3月,Cree曾宣布,将向美国理想工业公司(IDEAL INDUSTRIES)出售其照明产品业务部门("Cree Lighting"),包括用于商业、工业和消费者应用的LED照明灯具、灯泡以及企业照明解决方案业务。公司在未来将定位为一个更专注的半导体领导者。

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